Amplificateurs de puissance GaN ADPA1116

Les amplificateurs de puissance GaN ADPA1116 d’Analog Devices sont dotés d’une puissance de sortie saturée (P_OUT) de 39,5 dBm, d’une efficacité de puissance ajoutée (PAE) de 40 % et d’un gain en puissance de 23,5 dB standard de 0,5 GHz à 5 GHz à une puissance d’entrée (P_IN) de 16,0 dBm. L’entrée et la sortie RF sont assorties en interne et couplées en courant alternatif. Une tension de polarisation de drain de 28 V est appliquée aux broches V_DD1 et V_DD2, qui disposent d’inducteurs de polarisation intégrés. Le courant de drain est réglé en appliquant une tension négative à la broche V_GG1. L’ADPA1116 est fabriqué à l’aide d’un procédé au nitrure de gallium (GaN) et est disponible dans un boîtier à l’échelle de la puce à 32 fils. Les ampères ADPA1116 d’ADI sont spécifiés pour une exploitation de -40 °C à +85 °C.