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STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWT28IH125DF

N° de fab. :

STGWT28IH125DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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Fiche technique:

STGWT28IH125DF Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3P-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.25 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGWT28IH125DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	30 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	300
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	7 g

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Fiche technique

STGWT28IH125DF Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée STGWT28IH125DF

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