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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A 42 099En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 60 V 1.42 A, 1.8 A 250 mOhms, 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC, 5.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 22 896En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 100 V 850 mA, 1 A 700 mOhms, 1.45 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC, 3.5 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A 22 044En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 2.06 A, 2.72 A 180 mOhms, 330 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 3.9 nC, 5.2 nC - 55 C + 150 C 10.9 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L 7 306En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 4.13 A, 4.98 A 33 mOhms, 55 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9 nC, 12.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel