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STL25N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STL25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL25N60M2-EP
Price: 1.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STL25N60M2-EP

N° de fab. :

STL25N60M2-EP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8x8-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	206 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	STL25N60M2-EP
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	61 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	180 mg

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PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129010
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Singapour
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET is developed using MDmesh™ M2 EP enhanced performance technology. STMicroelectronics STL25N60M2-EP is housed in a PowerFLAT™ 8x8 HV package with a strip layout and improved vertical structure for low on-resistance and optimized switching characteristics. The MOSFET is suitable for demanding high frequency converters and has very low turn-off switching losses.

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Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

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STL25N60M2-EP

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8 Complétez votre conception

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