MOSFET à haute tension 600 V série E SiHG47N60E Vishay Siliconix

Les MOSFET à haute tension 600 V série E SiHG47N60E Vishay Siliconix offrent un faible FOM (facteur de mérite) avec une Rds(on) de 64 mΩ et une charge de grille de 147 nC à 10  qui se traduisent par une conduction et des pertes en commutation extrêmement faibles pour économiser l'énergie dans les applications en mode commutation à hautes performances et haute puissance. Le SiHG47N60E de série E permet aux clients de respecter la certification Energy Star 80 Plus.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Fiche technique
2 785En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Fiche technique
942En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube