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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJ211ELP-T1_GE3

N° de fab. :

SQJ211ELP-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQJ211ELP-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,57 €	1,57 €
	1,11 €	11,10 €
	0,796 €	79,60 €
	0,635 €	317,50 €
	0,594 €	594,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,516 €	1 548,00 €
	0,514 €	3 084,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	33.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	32.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

SQJ211ELP-T1_GE3 Fiche technique

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.

MOSFET 100 V à canal P automatique SQJ211ELP

Le MOSFET 100 V à canal P automatique SQJ211ELP Vishay/Siliconix dispose d'un courant drain-source de -100 V_DS dans un boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des fils de papillon. Ce MOSFET dispose d'une résistance en marche pouvant descendre à 30 Ω à 10 V et d'une température de fonctionnement maximale de +175°C. Le MOSFET 100 V À CANAL P automatique SQJ211ELP Vishay/Siliconix est certifié AEC-Q101, testé 100 % Rg ET UIS, conforme RoHS et sans halogène.