Étage de puissance NexFET™ CSD95485RWJ

L'étage de puissance (Power Stage) CSD95485RWJ NexFET™ de Texas Instruments a une conception hautement optimisée, utilisable dans des convertisseurs abaisseurs synchrones de haute puissance et de haute densité. Le dispositif intègre le CI de pilote et les MOSFET de puissance pour compléter la fonction de commutation d'étage de puissance. Cette combinaison permet d'obtenir un courant élevé, un rendement élevé et une capacité de commutation à haute vitesse dans un petit boîtier de 5 mm × 6 mm à connexions courtes. Le CSD95485RWJ de Texas Instruments intègre également une détection précise de courant et une fonctionnalité de détection de température, afin de simplifier la conception de système et d'améliorer sa précision. L'empreinte du circuit imprimé a été optimisée pour aider à réduire le temps de conception et à simplifier l'achèvement de la conception du système global.