Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 570 294En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS 68 538En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 86 624En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 88 731En stock
105 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5 469En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 19 347En stock
39 00019/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 6 348En stock
30 00026/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 1 517En stock
39 00026/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
20 00028/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET
5 58412/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel