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NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 7.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMTS002N10MCTXG

N° de fab. :

NTMTS002N10MCTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Fiche technique:

NTMTS002N10MCTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDFNW-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	236 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	89 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	255 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	SIngle
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	180 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Série:	NTMTS002N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	59 ns
Délai d'activation standard:	29 ns

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Fiche technique

NTMTS002N10MCTXG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC

Les MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC onsemi sont conçus selon le procédé avancé Power Trench à technologie de grille blindée. Les MOSFET NTMTS002N10MC onsemi ont un encombrement compact 8 mm x 8 mm et permettent des conceptions économiques en termes de volume. La faible_RDS(on) des dispositifs garantit des pertes minimales en conduction, tandis que les faibles_Q G et capacité réduisent les pertes de pilotes en offrant des performances de commutation supérieures. Engagés dans le boîtier Power 88, ces MOSFET sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, alignée avec les normes environnementales modernes.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,40 €	7,40 €
	4,02 €	40,20 €
	3,70 €	370,00 €
	3,65 €	1 825,00 €
	3,44 €	3 440,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,44 €	10 320,00 €

NTMTS002N10MCTXG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

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Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC

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