Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 6.36 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMTS002N10MCTXG

N° de fab. :

NTMTS002N10MCTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Fiche technique:

NTMTS002N10MCTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMTS002N10MCTXG

En stock: 2 525

Stock:: 2 525 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 21 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,36 €	6,36 €
	4,36 €	43,60 €
	3,30 €	330,00 €
	3,10 €	3 100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,09 €	9 270,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDFNW-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	236 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	89 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	255 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	SIngle
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	180 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Série:	NTMTS002N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	59 ns
Délai d'activation standard:	29 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMTS002N10MCTXG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC

Les MOSFET de puissance monocanal N NTMTS002N10MC onsemi sont conçus selon le procédé avancé Power Trench à technologie de grille blindée. Les MOSFET NTMTS002N10MC onsemi ont un encombrement compact 8 mm x 8 mm et permettent des conceptions économiques en termes de volume. La faible_RDS(on) des dispositifs garantit des pertes minimales en conduction, tandis que les faibles_Q G et capacité réduisent les pertes de pilotes en offrant des performances de commutation supérieures. Engagés dans le boîtier Power 88, ces MOSFET sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, alignée avec les normes environnementales modernes.