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STGWA100H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA100H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA100H65DFB2
Price: 4.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWA100H65DFB2

N° de fab. :

STGWA100H65DFB2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

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Fiche technique:

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	2,75 €	27,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	145 A
Pd - Dissipation d’énergie :	441 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,100 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT HB2 STGWA100H65DFB2

L'IGBT STGWA100H65DFB2 HB2 de STMicroelectronics est une évolution de la structure de grille en tranchée à arrêt de champ propriétaire avancée. La série HB2 optimise la conduction avec V_CE(sat) de première qualité à des valeurs de courant faible et une énergie de commutation réduite. L'IGBT HB2 STGWA100H65DFB2 dispose d'une faible V_CE(sat) de 1,55 V (std) à un I_C de 100 A.