MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

Les MOSFETs N-Channel 40V/80V/100V Toshiba L-TOGL et S-TOGL, qualifiés AEC-Q101, offrent une résistance à l’état passant ultra-faible, un courant de drain élevé et une excellente dissipation thermique. Ceci est réalisé en combinant des boîtiers à forte dissipation thermique [L-TOGL (large empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M) et S-TOGL (petite empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M)] avec les processus de puce U-MOS IX-H et U-MOS X-H. Les MOSFET L-TOGL et S-TOGL de Toshiba offrent également une capacité de courant élevé et une forte dissipation thermique pour contribuer à améliorer la densité de puissance dans une large variété d'applications automobiles. Le boîtier L-TOGL est équivalent en taille au boîtier TO-220SM(W) existant. Cependant, le XPQR3004PB améliore considérablement le courant nominal et réduit de manière significative la résistance à l'état passant à 0,23 mΩ standard. L'empreinte optimisée du boîtier L-TOGLs contribue également à améliorer les caractéristiques thermiques par rapport au boîtier TO-220SM(W) de même taille.