IGBT à tranchée FGHL75T65MQDTx

Les IGBT à tranchée FGHL75T65MQDTx d'onsemi sont des IGBT à vitesse moyenne de 4ème génération, disposant d'un condensé de technologies, avec diode à courant nominal complet. Les IGBT FGHL75T65MQDTx fonctionnent à une température de jonction maximale de 175 °C, une tension collecteur-émetteur de 650 V et un courant collecteur de 75 A. Ces IGBT disposent d'un coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile, une capacité de courant élevé, une commutation fluide et optimisée et une distribution étroite des paramètres. Le FGHL75T65MQDT est intégré à un boîtier TO247-3L et l'IGBT FGHL75T65MQDTL4 est intégré à un boîtier TO247-4L. Ces IGBT sont idéaux pour les applications dans les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les PFC et les convertisseurs.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Fiche technique
432En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Fiche technique
103En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube