CY7C1049G30-10VXI

Infineon Technologies
727-CY7C1049G30-10VX
CY7C1049G30-10VXI

Fab. :

Description :
SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Plus d'informations
En savoir plus à propos de Infineon Technologies CY7C1049G30-10VXI

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
10 ns
Parallel
3.6 V
2.2 V
45 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tube
Marque: Infineon Technologies
Type de mémoire: Volatile
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Nombre de pièces de l'usine: 570
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
Poids de l''unité: 1,402 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Fast Async SRAMs

Infineon Technologies Fast Async SRAMs include product offerings ranging from 64Kbit up to 32Mbit. Fast SRAMs are available in industry-standard voltage, bus-width, and package options. Developed using Infineon's high-performance CMOS technology, these devices offer fast access times (8ns to 12ns), making them an ideal choice in applications such as switches and routers, IP phones, test equipment, DSLAM cards, and automotive electronics. In addition, Infineon Fast Asynchronous SRAMs are available in industrial and automotive temperature grades.

CY7C1049DV33 Fast Async SRAM

Infineon Technologies CY7C1049DV33 Fast Async SRAM is designed as a high-performance Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Static RAM organized as 512K words by eight bits. The device provides easy memory expansion by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tristate drivers. Users write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on the address pins (A0 through A18).

En stock: 65

Stock:
65
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
570
20/08/2026 attendu
Délai usine :
26
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,03 € 6,03 €
5,62 € 56,20 €
5,44 € 136,00 €
5,31 € 265,50 €
5,19 € 519,00 €
5,02 € 1 255,00 €
4,89 € 2 787,30 €
4,77 € 5 437,80 €
2 850 Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
CY7C1049G30-10VXIT
Conditionnement:
Reel, Cut Tape
Disponibilité:
En stock
Prix:
6,02 €
Min.:
1

Une erreur inattendue est survenue.


Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.