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CY7C1049G30-10VXI

Name: Infineon CY7C1049G30-10VXI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY7C1049G30-10VX
Price: 6.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

727-CY7C1049G30-10VX

N° de fab. :

CY7C1049G30-10VXI

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit

Fiche technique:

CY7C1049G30-10VXI Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,30 €	6,30 €
	3,96 €	39,60 €
	3,87 €	2 205,90 €
	3,07 €	3 499,80 €
	3,04 €	8 664,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CY7C1049G30-10VXIT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape

Disponibilité:

En stock

Prix:

4,39 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Temps d'accès:	10 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.2 V
Courant d’alimentation maximal:	45 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOJ-36
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de mémoire:	Volatile
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Nombre de pièces de l'usine:	570
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Type:	Asynchronous
Poids de l''unité:	1,402 g

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

CY7C1049G30-10VXI Fiche technique (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

CY7C1049DV33 Fast Async SRAM

Infineon Technologies CY7C1049DV33 Fast Async SRAM is designed as a high-performance Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Static RAM organized as 512K words by eight bits. The device provides easy memory expansion by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tristate drivers. Users write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on the address pins (A0 through A18).

Fast Async SRAMs

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