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SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 6.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIJK140E-T1-GE3

N° de fab. :

SIJK140E-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Fiche technique:

SIJK140E-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	6,95 €	6,95 €
	4,71 €	47,10 €
	3,45 €	345,00 €
	3,35 €	1 675,00 €
	3,16 €	3 160,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK 10x12
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	795 A
Rds On - Résistance drain-source:	470 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	312 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	536 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	45 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	45 ns
Série:	SiJK140E
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	40 ns

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Fiche technique

SIJK140E-T1-GE3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

Le MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E de Vishay / Siliconix dispose de la technologie d'alimentation TrenchFET^® Gén V. Ce MOSFET optimise le rendement énergétique et la R_{DS (on)} minimise la perte de puissance pendant la conduction, assurant une exploitation efficace. Le MOSFET SiJK140E est testé R_g à 100 % et UIS. Ce MOSFET de puissance améliore la dissipation d'énergie et réduit la résistance thermique (R_thJC). Les applications standard incluent le redressement synchrone, l’automatisation, les commutateurs OR-ing et permutables à chaud, les alimentations, le contrôle d’entraînement moteur et la gestion de batterie.

MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

Les MOSFET à super-jonction en boîtiers PowerPAK^® 10 x 12 de Vishay / Siliconix disposent d'une technologie de puissance. Ces MOSFET de puissance optimisent l'efficacité énergétique, tandis que la R_DS(on) minimise les pertes de puissance lors de la conduction, garantissant ainsi une exploitation efficace. Ces composants sont testés à 100 % Rg et UIS. Les MOSFET de super-jonction de Vishay / Siliconix améliorent la dissipation d'énergie et réduisent la résistance thermique (R_thJC). Les applications typiques incluent le redressement synchrone, l'automatisation et les alimentations électriques.