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NVMJS3D0N06CTWG

Name: onsemi NVMJS3D0N06CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS3D0N06CTWG
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMJS3D0N06CTWG

N° de fab. :

NVMJS3D0N06CTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 60V SL LFPAK8 5X6

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMJS3D0N06CTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,40 €	1,40 €
	0,937 €	9,37 €
	0,782 €	78,20 €
	0,752 €	376,00 €
	0,728 €	728,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,718 €	2 154,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	139.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	112.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	NVMJS3D0N06C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

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Fiche technique

NVMJS3D0N06CTWG Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile NVMJS3D0N06C.

Le MOSFET de puissance automobile NVMJS3D0N06C Onsemi offre de hautes performances dans un boîtier LFPAK 5 mm x 6 mm. Le NVMJS3D0N06C, certifié AEC-Q101 et compatible PPAP, est idéal pour les conceptions compactes et efficaces dans les applications automobiles nécessitant une fiabilité améliorée au niveau de la carte.