Composants MOSFET automobiles à signal faible

Les MOSFET automobiles à signal faible de Toshiba sont des MOSFET à semi-puissance et corps compact homologués AEC-Q101. Ces composants prennent en charge une large gamme d'applications automobiles pour les systèmes de batteries de 12 V à 48 V, notamment les commutateurs de charge de ligne d'alimentation, les phares LED et les circuits d'équilibrage de cellule BMS. Le SOT-23F est un boîtier propriétaire Toshiba à fil plat présenté par opposition au boîtier SOT-23 existant de type fil à aile de mouette. Cela améliore la dissipation thermique grâce à une zone de contact accrue de dissipation de chaleur entre le boîtier et la carte de circuit imprimé (PCB). La qualité et la fiabilité du montage dans des environnements thermiques difficiles étant une préoccupation habituelle pour les boîtiers à fil plat, on peut considérer que les exigences de cycle thermique pour les applications automobiles ont été satisfaites. Ces composants maintiennent également une compatibilité d'empreinte avec le boîtier SOT-23 prédécesseur. En combinant des techniques de traitement de tranches et de boîtier sophistiquées, les SSM3K341R et SSM3K361R dans le boîtier SOT-23F disposent d'un RDS(ON) à la pointe de l'industrie de 36 mΩ et 65 mΩ ( à VGS = 4,5 V) respectivement. La faible résistance à l'état passant permet une réduction de la taille de l'application tout en réduisant les pertes d'énergie. De plus, les deux composants prennent en charge une température de canal maximale de +175 °C et peuvent être largement utilisés dans les applications automobiles où l'environnement de fonctionnement est exigeant.

Résultats: 10
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9 094En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3 720En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 5 118En stock
3 00030/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 14 981En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 96 681En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 3 149En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 5 736En stock
3 00001/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4 824En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
120 00004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
20 577Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel