MOSFET RV8L002SN et RV8C010UN à signal faible

Les MOSFET à petit signal RV8L002SN et RV8C010UN de ROHM Semiconductor sont proposés dans un boîtier ultra-compact sans plomb avec pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique. Les MOSFET RV8L002SN et RV8C010UN offrent également une commutation très rapide, un pilote ultra-basse tension de2,5 V et une protection ESD jusqu’à 2 kV.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
Fiche technique
Commentaire Produit
7 726En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
Fiche technique
Commentaire Produit
8 00022/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape