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QPD0011EVB1

Name: Qorvo QPD0011EVB1
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0011EVB1
Price: 945 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

772-QPD0011EVB1

N° de fab. :

QPD0011EVB1

Fab. :

Qorvo

Description :

Outils de développement RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

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Produit disponible uniquement pour les professionnels (FEO/EMS) et les clients du secteur de la conception. Ce produit n'est pas expédié aux particuliers situés dans l'Union européenne ou au Royaume-Uni.

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	Outils de développement RF
Restrictions en matière d'expédition :	Produit disponible uniquement pour les professionnels (FEO/EMS) et les clients du secteur de la conception. Ce produit n'est pas expédié aux particuliers situés dans l'Union européenne ou au Royaume-Uni.
RoHS:
Produit:	Evaluation Boards
Type:	RF Transistor
L'outil sert à l'évaluation de:	QPD0011
Fréquence:	3.3 GHz to 3.6 GHz
Marque:	Qorvo
À utiliser avec:	GaN HEMTs
Type de produit:	RF Development Tools
Série:	QPD0011
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools
Raccourcis pour l'article N°:	QPD0011

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Attributs sélectionnés: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

Carte d'évaluation QPD0011EVB1

La carte d'évaluation QPD0011EVB1 de Qorvo est une plateforme de démonstration et de développement pour le transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) 30/60 W, 48 V, référence QPD0011 de Qorvo. Le QPD0011 est un transistor amplificateur de puissance asymétrique à deux voies pour applications de type Doherty. Le QPD0011 se caractérise par sa plage de fréquence de 3,3 GHz à 3,6 GHz et son gain de Doherty maximal de 13,3 dB. Chaque voie intègre un transistor qui fonctionne comme un unique étage d'amplification. Le QPD0011 peut fournir une puissance moyenne de 15 W dans un montage Doherty.