Étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200

L'étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200 Texas Instruments fournit une solution d'étage de puissance intégrée à base de FET au nitrure de gallium (GaN) à enrichissement. Le dispositif est composé de deux FET GaN 80 V commandés par un pilote FET GaN haute fréquence en configuration demi-pont. Les FET GaN offrent des avantages significatifs pour la conversion de puissance, car ils ont une récupération inverse quasi nulle et très faible capacité d'entrée C_ISS. Tous les composants sont montés sur une plateforme-boîtier totalement sans fil et sans liaison avec un nombre minimal d'éléments parasites au boîtier. Les entrées compatibles logique TTL peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 12 V indépendamment de la tension V_CC. La technique exclusive de tension de blocage par amorçage garantit que les tensions de grille des FET GaN en mode enrichissement restent dans une plage de fonctionnement sûr.