NJVMJD45H11G

onsemi
863-NJVMJD45H11G
NJVMJD45H11G

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 212

Stock:
2 212 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,17 € 1,17 €
1,05 € 10,50 €
0,458 € 34,35 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,31 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
PNP
Single
8 A
80 V
5 V
1 V
20 W
90 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
MJD45H11
Tube
Marque: onsemi
Pays d’assemblage: VN
Pays de diffusion: MY
Pays d'origine: MY
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 75
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 350 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor

onsemi NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor (BJT) is a fast switching device with low collector-emitter saturation voltage. The electrical characteristics of NJVMJD45H11G transistor include 8A current, 80V voltage, and 20W power. This transistor is electrically similar to D44H/D45H series. onsemi NJVMJD45H11G is available in a straight lead version in plastic sleeves along with complementary pairs to simplify designs. This transistor is used for general-purpose power and switching devices. The applications include switching regulators, converters, and power amplifiers.