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NVTFWS003N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS003N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS003N04XMTAG
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VTFWS003N04XMTAG

N° de fab. :

NVTFWS003N04XMTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVTFWS003N04XMTAG Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,35 €	1,35 €
	0,847 €	8,47 €
	0,562 €	56,20 €
	0,444 €	222,00 €
	0,401 €	401,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,366 €	549,00 €
	0,33 €	990,00 €
	0,321 €	2 889,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	98 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	44 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	NVTFWS003N04XM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	9 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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NVTFWS003N04XMTAG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVTFWS003N04XM

Le MOSFET NVTFWS003N04XM d'onsemi offre une faible résistance R_DS(on) et une faible capacité dans un boîtier conforme à la norme AEC-Q101. Le MOSFET possède une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 98 A et une résistance drain-source de 2,85 mΩ à 10 V. Le MOSFET NVTFWS003N04XM d'onsemi est disponible dans un boîtier de petite empreinte µ8FL de 3,3 mm x 3,3 mm et est idéal pour les applications de commande de moteur, de protection de batterie et de redressement synchrone.