Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package. 

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A 8 124En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 20.5 A 7.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 9 185En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 281En stock
15 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 29 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 129 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1 849En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 260 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel