NXH40B120MNQ0SNG

Module MOSFET SiC complet NXH40B120MNQ0

Le module de MOSFET entièrement au SiC onsemi NXH40B120MNQ0 contient un double étage d'amplification composé de deux   MOSFET de 40 mΩ/ 1 200 V au SiC et de deux diodes de 40 A/1 200 V au SiC.Ω Ces MOSFET et diodes intégrés au SiC présentent des pertes inférieures de conduction et de commutation, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre une haute efficacité et une fiabilité supérieure. Le module MOSFET SiC complet NXH40B120MNQ0 contient deux redresseurs de dérivation supplémentaires de 50 A/1 200 V utilisés pour la limite de courant d'appel et une thermistance embarquée. Ce module MOSFET SiC complet dispose d'une faible récupération inverse et de diodes SiC de commutation rapide, d'une disposition à faible induction, de broches de brasage et d'une thermistance. Le module MOSFET SiC complet NXH40B120MNQ0 est idéal pour les onduleurs solaires et les alimentations sans interruption.