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SIHH080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH080N60ET1-GE3
Price: 5.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIHH080N60ET1-GE3

N° de fab. :

SIHH080N60E-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PWRPK 600V 32A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SIHH080N60E-T1-GE3 Fiche technique

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,05 €	5,05 €
	3,41 €	34,10 €
	2,46 €	246,00 €
	2,43 €	1 215,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,17 €	6 510,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK 8x8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	184 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	96 ns
Série:	SIHH E
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	31 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance série E SiHH080N60E

Les MOSFET de puissance série E SiHH080N60E Vishay/Siliconix fournissent une technologie de série E de 4e génération dans un boîtier PowerPAK® 8 x 8. Les MOSFET SiHH080N60E utilisent un Ron x Qg à faible facteur de mérite (FOM) et une faible capacité effective (Co(er)). Les pertes de commutation et de conduction réduites des MOSFET de puissance série E SiHH080N60E Vishay/Siliconix sont optimisées avec une charge de grille totale drain-source de 650 V.