Diodes Schottky de 5e génération CoolSiC 1 200 V

Infineon 1200V CoolSiC Generation 5 Schottky Diodes are offered with forward currents up to 40A for TO-247, 20A in TO-220 and 10A in DPAK. CoolSiC Generation 5 target solar inverters, UPS, 3P SMPS, energy storage and motor drives applications. With Generation 5, reduction of forward voltage and its temperature dependency brings a new level of system efficiency. Moreover, an improved thermal performance compared to a silicon based solution increases system reliability and the possibility to increase output power in a given form factor. Combined with a Si HighSpeed 3 IGBT, they deliver 40% lower Si IGBT turn-on losses and reduced EMI.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DISCRETE
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT Single 5 A 1.2 kV 1.8 V 59 A 33 uA - 55 C + 175 C IDK05G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Fiche technique
480Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DISCRETE
Fiche technique
99031/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDH05G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodes Schottky SiC SIC DISCRETE
Fiche technique
Délai de livraison 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel, Cut Tape