MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

Les MOSFET de puissance à canal N 40 V RH7G04 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension drain-source (VDSS) de 40 V et un courant drain continu (ID) de ±40 A. Ces MOSFET présentent une faible résistance drain-source à l’état passant [RDS(ON)] et sont disponibles dans un boîtier DFN-8 (DFN3333T8LSAB) de 3,3 mm x 3,3 mm. Les MOSFET RH7G04 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les systèmes d’aide à la conduite automobile (système d’aide à la conduite (ADAS)), les applications d’information, d’éclairage et de carrosserie.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 P CHAN 30V
Fiche technique
2 180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
Fiche technique
3 00013/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape