Phototransistors NPN en silicium HLPT-B3x0-00000

Les phototransistors NPN en silicium HLPT-B3x0-00000 de Broadcom sont des dispositifs robustes et efficaces disponibles dans un boîtier de lampe traversant de 3 mm conforme aux standards de l'industrie. Ces phototransistors NPN sont livrés avec une résine époxy noire qui filtre la lumière visible indésirable. Les phototransistors HLPT-B3x0-00000 sont disponibles à un angle de demi-sensibilité de ±12° et ±25°. Ces phototransistors ont une large plage spectrale de sensibilité de 720 nm à 1 100 nm. Les phototransistors NPN en silicium HLPT-B3x0-00000 sont faciles à utiliser et constituent une solution économique offrant des performances supérieures. Ces phototransistors en silicium conviennent à diverses applications dans les secteurs grand public et industriel, telles que la bureautique, les appareils électroménagers, les barrières immatérielles et le contrôle des machines.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Style de montage
Longueur de l'onde de pointe
Courant du collecteur l'état passant max.
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant d'obscurité
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Broadcom / Avago Phototransistors IR PT Lamp,3mm, 960nm,24deg
Fiche technique
13 480En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Phototransistors Through Hole 920 nm 23 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C
Broadcom / Avago Phototransistors IR PT Lamp,3mm, 960nm,50deg
Fiche technique
13 983En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Phototransistors Through Hole 920 nm 11 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C