FET GaN 600 V 50 mΩ LMG342xR050

Le FET GaN LMG342xR050 600 V 50 mΩ de Texas Instruments avec pilote et protection intégrés permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité dans les systèmes d'électronique de puissance. Le LMG342xR050 intègre un pilote en silicium qui permet des vitesses de commutation jusqu'à 150V/ns. La polarisation de grille de précision intégrée de TI’permet d'obtenir un SOA de commutation plus élevé par rapport aux pilotes de grille en silicium discrets. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI’s permet une commutation nette et une sonnerie minimale dans les topologies d'alimentation à commutation dure. Le réglage de la force d'entraînement de la grille permet de contrôler la vitesse de balayage de 20V/ns à 150V/ns, ce qui peut être utilisé pour contrôler activement les interférences électromagnétiques et optimiser les performances de commutation.