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AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-AFGB30T65RQDN

N° de fab. :

AFGB30T65RQDN

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

AFGB30T65RQDN Fiche technique

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	1,62 €	810,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D2PAK-3
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.58 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V, 30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	68 A
Pd - Dissipation d’énergie :	235.48 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	AFGB30T65RQDN
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

AFGB30T65RQDN Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

IGBT AFGB30T65RQDN

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) AFGB30T65RQDN d' onsemi offre des performances optimales pour les applications automobiles. Cet IGBT présente une capacité de courant élevé, une commutation rapide, une impédance d'entrée élevée et une distribution de paramètres resserrée. L'IGBT AFGB30T65RQDN est protégé contre les courts-circuits et offre un facteur de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et commutation. Cet IGBT est conforme à la qualification AEC-Q101, sans Pb et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent le compresseur E pour véhicules hybrides/électriques et le réchauffeur CTP pour véhicules hybrides/électriques.