MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN

Les MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8002KN dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch
Fiche technique
5 102En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch
Fiche technique
951En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube