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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIA436DJ-T1-GE3

N° de fab. :

SIA436DJ-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Fiche technique:

SIA436DJ-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,536 €	5,36 €
	0,35 €	35,00 €
	0,27 €	135,00 €
	0,244 €	244,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,215 €	645,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	8 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	350 mV
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	19 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	SIA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SIA436DJ-GE3
Poids de l''unité:	1 g

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Fiche technique

SIA436DJ-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.