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NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMTS0D7N04CTXG

N° de fab. :

NTMTS0D7N04CTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

Fiche technique:

NTMTS0D7N04CTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	420 A
Rds On - Résistance drain-source:	670 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	140 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	205 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	20.4 ns
Transconductance directe - min.:	200 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18.1 ns
Série:	NTMTS0D7N04C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	61 ns
Délai d'activation standard:	28.9 ns
Poids de l''unité:	319,280 mg

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Fiche technique

NTMTS0D7N04CTXG Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.

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