Module NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST

Le module NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST d'Onsemi offre trois canaux, une puissance de sortie plus élevée et un montage facile du module. Chaque canal contient deux IGBT de 1 000 V, 100 A, deux diodes SiC de 1 200 V, 30 A, et deux diodes de dérivation de 1 600 V, 30 A. Le module Q2BOOST fournit un excellent rendement et des pertes thermiques exceptionnelles, avec la flexibilité nécessaire pour prendre en charge différents processus de fabrication.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Modules IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Modules IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Modules IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Fiche technique
72Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 36
Mult. : 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray