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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SIA427DJ-T1-GE3

N° de fab. :

SIA427DJ-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Fiche technique:

SIA427DJ-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,929 €	0,93 €
	0,664 €	6,64 €
	0,413 €	41,30 €
	0,285 €	142,50 €
	0,253 €	253,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,215 €	645,00 €
	0,184 €	1 104,00 €
	0,171 €	1 539,00 €
	0,154 €	3 696,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	8 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	95 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	19 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SIA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	SIA427DJ-GE3
Poids de l''unité:	11,688 g

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Fiche technique

SIA427DJ-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET^® Power MOSFETs have the lowest on-resistance for a p-channel device in the thermally enhanced PowerPAK® SC-70 2mm by 2mm footprint area. The on-resistance of the SiA427DJ is up to 47% lower than the closest competing p-channel device. The 1.2V low on-resistance rating of SiA427DJ TrenchFET power MOSFETs makes them ideal for low bus voltages.