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RGW00TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW00TK65DGVC11
Price: 7.11 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-RGW00TK65DGVC11

N° de fab. :

RGW00TK65DGVC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Fiche technique:

RGW00TK65DGVC11 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,11 €	7,11 €
	4,16 €	41,60 €
	3,51 €	351,00 €
	3,22 €	1 449,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3PFM-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.9 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	45 A
Pd - Dissipation d’énergie :	89 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	RGW00TK65D

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop Trench IGBTs

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IGBT à tranchée et arrêt de champ 650 V RGW

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée 650 V RGW de ROHM Semiconductor offrent une faible tension de saturation collecteur-émetteur dans un petit boîtier. Les IGBT RGW disposent d'une commutation à haut débit, d'une faible perte de commutation et d'une FRD de récupération très rapide et progressive intégrée. Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 650 V RGW de ROHM sont idéaux pour les onduleurs solaires, les onduleurs, les soudure, les IH et les applications PFC.