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NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVTYS020N08HLTWG

N° de fab. :

NVTYS020N08HLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVTYS020N08HLTWG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.6 ns
Transconductance directe - min.:	35 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24.3 ns
Série:	NVTYS020N08HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	15.3 ns
Délai d'activation standard:	8.8 ns

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Fiche technique

NVTYS020N08HLTWG Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance NVTYS020N08HL

Le MOSFET de puissance NVTYS020N08HL d'onsemi est un MOSFET monocanal N 80 V, 20 mΩ et 30 A construit avec une conception compacte et efficace pour de hautes performances thermiques. Ce MOSFET dispose d’une faible R_{DS (ON)} pour minimiser les pertes de conduction et d’une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Le MOSFET de puissance NVTYS020N08HL est homologué AEC-Q101 et compatible PPAP. Ce MOSFET est adapté à la protection inverse de la batterie, aux commutateurs d’alimentation, aux alimentations à commutation et à d’autres applications automobiles.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

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Prix (EUR)

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	0,439 €	1 317,00 €
	0,39 €	2 340,00 €
	0,377 €	3 393,00 €
	0,366 €	8 784,00 €

NVTYS020N08HLTWG

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Fab. : onsemi

Description : MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

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