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SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA906EDJ-GE3
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SIA906EDJ-GE3

N° de fab. :

SIA906EDJ-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Fiche technique:

SIA906EDJ-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,01 €	1,01 €
	0,716 €	7,16 €
	0,446 €	44,60 €
	0,308 €	154,00 €
	0,273 €	273,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,232 €	696,00 €
	0,205 €	1 230,00 €
	0,185 €	1 665,00 €
	0,166 €	3 984,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	46 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	600 mV
Qg - Charge de grille:	950 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	7.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	14 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	SIA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	12 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SIA906EDJ-GE3
Poids de l''unité:	28 mg

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Fiche technique

SIA906EDJ-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Solutions MOSFET intégrées

Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET^® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique.

MOSFET N voies double SiA936EDJ Vishay Siliconix

Le MOSFET N voies double SiA936EDJ de Vishay Siliconix est conçu pour économiser de l'espace et optimiser la consommation d'énergie dans les systèmes électroniques portables, grâce à la plus faible résistance en fonctionnement de l'industrie pour les systèmes de 20 V (VGS de 12 V et VGS de 8 V) à 4,5 V et les pilotes de grille de 2,5 V dans un boîtier de 2 mm sur 2 mm. Le SiA936EDJ est optimisé pour les commutateurs de charge et des chargeurs, les convertisseurs CC/CC et les ponts en H et la protection des batteries pour la gestion de l'alimentation dans les smartphones, les tablettes, les ordinateurs mobiles, les produits médicaux portables non implantables et les produits électroniques grand public dotés de petits moteurs CC brushless. Pour ces applications, le SiA936EDJ offre une résistance de fonctionnement extrêmement faible de 34 mΩ (4,5 V), 37 mΩ (3,7 V) et 45 mΩ (2,5 V), et une protection ESD intégrée de 2 000 V. Sa résistance de fonctionnement à 2,5 V est inférieure de 11,7 % à celle du composant concurrent le plus proche de 8 V VGS, tout en fournissant une bande de garde (G-S) plus élevée, et inférieure de 15,1 % à celle du composant concurrent le plus proche de 12 V VGS. La faible résistance en fonctionnement du dispositif, l'une des plus faibles du marché, permet aux concepteurs d'obtenir des chutes de tension plus faibles dans leurs circuits, d'optimiser la consommation d'énergie et de disposer de durées de fonctionnement des batteries plus longues. En intégrant deux MOSFET dans un boîtier compact, le SiA936EDJ double simplifie les conceptions, réduit le nombre total de composants et permet un gain d'espace critique sur le CI. Le MOSFET N voies double SiA936EDJ Vishay Siliconix est certifié 100 % Rg, sans halogène, selon la définition de la norme JEDEC JS709A et conforme à la directive RoHS 2011/65/UE.
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