NCV51705MNTWG

onsemi
863-NCV51705MNTWG
NCV51705MNTWG

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Automotive SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed Automotive Qual

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,33 € 3,33 €
2,51 € 25,10 €
2,25 € 56,25 €
2,09 € 209,00 €
1,98 € 495,00 €
1,92 € 960,00 €
1,77 € 1 770,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,72 € 5 160,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
QFN-24
1 Driver
1 Output
6 A
10 V
22 V
8 ns
8 ns
- 40 C
+ 125 C
NCV51705
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Type de logique: TTL
Délai de désactivation max.: 50 ns
Délai d'activation max.: 50 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 12 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 2.9 W
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: SiC
Poids de l''unité: 1 g
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

NCV51705 High-Speed Low-Side SiC MOSFET Driver

onsemi NCV51705 High-Speed Low-Side SiC MOSFET Driver is designed to provide high-peak current during turn-on and turn-off, minimizing switching losses. For improved reliability, dV/dt immunity, and even faster turn-off, the NCV51705 can utilize its onboard charge pump to generate a user-selectable negative voltage rail. For isolated applications, the NCV51705 also provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto isolators. The NCV51705 offers important protection functions such as under-voltage lockout monitoring for the bias power.