IGBT à tranchée XPT™ 1 200 V avec diodes acoustiques

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) XPT™ et tranchée 1 200 V de Littelfuse avec diodes acoustiques sont développés à l'aide de la technologie XPT à couche mince et des processus à tranchée IGBT. Les transistors disposent d'une résistance thermique réduite et sont optimisés pour une faible perte de commutation. Les IGBT à tranchée XPT 1 200 V avec diodes acoustiques de Littelfuse offrent une capacité de traitement du courant élevée, une densité de puissance élevée et une diode acoustique anti-parallèle. Ces transistors à tranchée XPT sont idéaux pour les convertisseurs de puissance, le pilotage de moteur, le circuit de correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de chargeur de batterie.