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MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-MJE13007G

N° de fab. :

MJE13007G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 8A 400V 80W NPN

Fiche technique:

MJE13007G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,62 €	1,62 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	8 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	400 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	700 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	9 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1 V
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Produit gain-bande passante fT :	14 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MJE13007
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	8 A
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	MY
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	8
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

MJE13007G Fiche technique

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.