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STWA70N65DM6

Name: STMicroelectronics STWA70N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA70N65DM6
Price: 10.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA70N65DM6

N° de fab. :

STWA70N65DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	68 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	125 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	450 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	52 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	107 ns
Délai d'activation standard:	30.4 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET

STMicroelectronics STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET is a MDmesh DM6 fast-recovery diode in a TO-247 long lead package. STMicroelectronics STWA70N65DM6 combines very low recovery charge (Q_rr), very low recovery time (t_rr), and excellent drain-source on resistance (R_DS(on)) per area with highly effective switching behavior. This device is ideal for demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS (Zero-Voltage Switching) phase-shift converters.

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Stock:: 596 Expédition possible immédiatement

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,92 €	10,92 €
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	7,36 €	4 416,00 €

STWA70N65DM6

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Complétez votre conception

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