STWA70N65DM6

STMicroelectronics
511-STWA70N65DM6
STWA70N65DM6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Modèle de ECAO:
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En stock: 596

Stock:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
12,73 € 12,73 €
9,50 € 95,00 €
8,22 € 822,00 €
7,27 € 4 362,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
40 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
125 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 10.8 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 52 ns
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 107 ns
Délai d'activation standard: 30.4 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET

STMicroelectronics STWA70N65DM6 N-Channel 650V 68A Power MOSFET is a MDmesh DM6 fast-recovery diode in a TO-247 long lead package. STMicroelectronics STWA70N65DM6 combines very low recovery charge (Qrr), very low recovery time (trr), and excellent drain-source on resistance (RDS(on)) per area with highly effective switching behavior. This device is ideal for demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS (Zero-Voltage Switching) phase-shift converters.