MOSFET à canal N au silicium TPH1100CQ5

Les MOSFET à canal N en silicium TPH1100CQ5 de Toshiba disposent d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu selon un procédé de tranchée de génération U-MOSX-H. Les MOSFET offrent des caractéristiques de récupération inverse améliorées, notamment un temps de récupération inverse 36 ns rapide et une charge de récupération inverse standard de 27 nC. La série TPH1100CQ5 réduit la perte de puissance dans les alimentations à découpage, ce qui augmente le rendement dans les applications de redressement synchrone. Les MOSFET à canal N en silicium TPH1100CQ5 de Toshiba offrent une faible résistance drain-source à l’état passant et un faible courant de fuite nominal, ce qui les rend idéaux pour diverses applications de puissance et industrielles. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension de commutation, les pilotes de moteur, les centres de données et les systèmes de base de communication.