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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQSA12CENW-T1_GE3

N° de fab. :

SQSA12CENW-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQSA12CENW-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,14 €	1,14 €
	0,714 €	7,14 €
	0,473 €	47,30 €
	0,371 €	185,50 €
	0,335 €	335,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,293 €	879,00 €
	0,272 €	1 632,00 €
	0,265 €	2 385,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8W
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	31 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	47 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

SQSA12CENW-T1_GE3 Fiche technique

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW

Le MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET^® homologué AEC-Q101. Le MOSFET SQSA12CENW dispose d'un I_d 18 a, de 100 V_DS et de 0,022 Ω R_DS(on). Le MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW Vishay/Siliconix est disponible en boîtier PowerPAK^® 1212-8 W et est spécifié pour une plage de température de jonction en fonctionnement et de stockage de -55°C à +175°C.