Diodes barrières Schottky RBR40NS

Les barrières diodes Schottky RBR40NS de ROHM Semiconductor sont conçues pour être utilisées dans les alimentations de commutation et se caractérisent par un courant de surtension direct de crête de 100 A.  Ces diodes offrent une haute fiabilité, une tension directe faible et un courant direct moyen de 40 A. Les diodes de barrière Schottky RBR40NS sont disponibles en trois variantes avec des tensions de crête récurrentes négatives de 30 V, 40 V et 60 V. Ces diodes sont conçues selon une construction de type planaire épitaxiale au silicium et sont hébergées dans un boîtier TO-263AB (D2PAK). Les diodes barrières Schottky RBR40NS sont conforme à la directive RoHS et fonctionnent dans la plage de température de -55 °C à 150 °C.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Style de montage
Package/Boîte
Configuration
Technologie
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Fiche technique
945En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky RECT 40V 40A SM SKY BARRI
Fiche technique
780En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000
Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 60 V 600 mV 100 A 800 uA + 150 C Reel, Cut Tape