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STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 1.75 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STO33N60M6

N° de fab. :

STO33N60M6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Fiche technique:

STO33N60M6 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-LL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	125 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	33.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	33 ns
Série:	MDmesh M6
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	38.5 ns
Délai d'activation standard:	19.5 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

STO33N60M6 Fiche technique (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STO65N60DM6

Le MOSFET de puissance STO65N60DM6 STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6 combinant une charge de récupération (Q_rr) très faible, un temps de récupération (t_rr) et une excellente amélioration de R_DS(on). Le STO65N60DM6 offre d'excellentes performances de commutation via la broche source de pilotage supplémentaire. Cette performance rend le MOSFET de puissance STM STO65N60DM6 idéal pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.

MOSFET de puissance MDmesh STO67N60x

Les MOSFET de puissance MDmesh STO67N60x de STMicroelectronics sont des MOSFET de puissance à canal N testés à 100 % en avalanche et protégés Zener adaptés aux applications de commutation.Ces MOSFET de puissance disposent d'excellentes performances de commutation, d'une faible résistance d'entrée de grille et d'un R_DS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente. Le MOSFET de puissance STO67N60DM6 est une diode de corps à récupération rapide et combine une très faible charge de récupération (Q_rr) et un temps de récupération (t_rr) avec le comportement de commutation le plus efficace. Le MOSFET de puissance STO67N60M6 est idéal pour une utilisation dans les convertisseurs LLC et les convertisseurs PFC élévateur.

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Q_g) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.