Transistors intégrés à résistance de polarisation automobile RN

Les transistors intégrés à résistance de polarisation (BRT) automobile RN de Toshiba sont homologués AEC-Q101 et optimisés pour les applications de commutation, de circuit d'onduleur, d'interface et de circuit de pilote. La résistance de polarisation est intégrée, réduisant le nombre de pièces externes requises et réduisant la taille du système et le temps d'assemblage. Les BRT à résistance de polarisation automobile RN de Toshiba fournissent une large plage de résistance pour s'ajuster à diverses conceptions de circuit.

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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Fiche technique
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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3 00015/06/2026 attendu
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Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323
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Toshiba Diodes de protection ESD / diodes TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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2 420En stock
6 00018/05/2026 attendu
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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1 254En stock
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
Fiche technique
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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Toshiba Transistors bipolaires - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Fiche technique
4 740En stock
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Toshiba Transistors numériques AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Fiche technique
2 145En stock
8 00024/04/2026 attendu
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