MOSFET de 1 700 V pour l'automobile CoolSiC™

Les MOSFET de 1 700 V pour l'automobile CoolSiC™ d'Infineon Technologies permettent des topologies Flyback pour alimentations électriques auxiliaires et convertisseurs CC-CC. Ces dispositifs ont un courant continu de drain CC (IDDC) pour Rth(j-c,max) compris entre 7,4 A et 15 A à 25 °C et entre 5,6 A et 10,5 A à 100 °C. La technologie de MOSFET à tranchée SiC d’Infineon Technologies offre une tension de commande de la grille à la source de 0 V/20 V, compatible avec la plupart des contrôleurs Flyback pour applications automobiles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Fiche technique
525En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Fiche technique
750Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Fiche technique
750Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement