LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Vds - Tension de rupture drain-source
Vgs - Tension de rupture grille-source
Tension gâchette-cathode de coupure
Courant drain/source à Vgs=0
Id - Courant continu de fuite
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Fiche technique
241En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Fiche technique
66En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFET Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel