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NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 167.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-600B100H4Q2F2S1G

N° de fab. :

NXH600B100H4Q2F2S1G

Fab. :

onsemi

Description :

Modules IGBT FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Fiche technique:

NXH600B100H4Q2F2S1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Produit:	Si/SiC Hybrid Modules
Configuration:	Triple
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.88 V
Courant collecteur continu de 25 C:	173 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	350 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	422 W
Package/Boîte:	PIM-56
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Screw Mount
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Nombre de pièces de l'usine:	36
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	SiC, Si
Nom commercial:	EliteSiC

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Fiche technique

NXH600B100H4Q2F2S1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G

Le module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G onsemi est un module Boost à condensateur volant à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 200 A et deux diodes SiC 1 200 V, 60 A. Le module contient également une thermistance NTC. Les applications comprennent les onduleurs solaires et les systèmes d’alimentation sans interruption.