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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Qualification Conditionnement
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W 575En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V 20A FSP IGBT 1 552En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT 10 389En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 983En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGH40N60SM_F085 AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop 1 049En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60SFD Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop 741En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60UFD Tube

onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
8 55017/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube